结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺 杨 芳，武忙虎，王浩亮，翟鑫月，王 勋，李宝霞 (西安微电子技术研究所，西安 710000)

结构化晶圆表面厚胶喷涂工艺_杨芳.pdf

摘要：采用超声雾化喷涂技术，以AZ4620光刻胶为研究对象，以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片 为基材，在12英寸(1英寸=2. 54 cm)结构化晶圆表面喷涂光刻胶形成薄膜。分别研究了稀释 质量比、超声功率、氮气体积流量、喷嘴与晶圆表面的间距、载台温度等工艺参数对TSV硅片 表面喷涂质量的影响，最终通过优化过程工艺参数，得到表面胶颗粒细小、膜厚均匀性好、台阶 覆盖率高的涂覆刻蚀片。实验结果表明，超声雾化喷涂法可以很好地应用于三维结构表面涂覆， 克服了旋涂方法在三维结构应用中带来的缺陷，同时有效地提高了光刻胶的利用率，在集成电路 (IC)制造和微电子机械系统(MEMS)工艺中有着广阔的应用前景。